В Samsung нашли материал для создания карты памяти нового поколения

8 июля 2020 года, 8:54

Он состоит из атомов бора и азота.

Исследователи института Samsung (SAIT) совместно со специалистами Ульсанского национального института науки и технологии открыли новый материал под названием a-BN — аморфный нитрид бора. Об этом сообщила пресс-служба южнокорейского производителя.

Материал состоит из атомов бора и азота. Его молекулярная структура получила уникальное отличие. Речь идет о сверхнизкой диэлектрической проницаемости 1,78. a-BN может свести к минимуму любые электрические помехи, если его использовать как изолирующее средство. Он будет широко применяться в полупроводниковой продукции DRAM и NAND нового поколения.

Как сообщало ранее Delovoe.tv, в Гарварде создали быстрого роботаракана.

Фото: samsung.com
Видео: YouTube / Intel